این فناوری جدید، در دانشگاه ملی سنگاپور فراهم شده است که برای پژوهشگران گامی رو به جلو در جهت به واقعیت پیوستن مفهوم ابزار الکترونیکی پوشیدنی و انعطاف‌پذیر به‌حساب می‌آید.
دکتر Yang Hyunsoo سرپرست گروه پژوهشی و استادیار دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر می‌گوید:
«ابزارهای الکترونیکی انعطاف‌پذیر در آینده‌ای نزدیک متداول خواهند شد و باید همه قطعات الکترونیکی جدید با ابزار الکترونیکی انعطاف‌پذیر سازگار باشند.»
گروه پژوهشی موفق شدند تراشه حافظه مغناطیسی قدرتمندی روی یک ماده پلاستیکی انعطاف‌پذیر جاسازی کنند. این تراشه‌ی حافظه جزء اساسی موردنیاز در طراحی و توسعه دستگاه‌های انعطاف‌پذیر با وزن کم به‌شمار می‌آید.
این پروژه می‌تواند در حوزه‌های صنعت خودرو، الکترونیک پزشکی، کنترل موتورهای صنعتی و رباتیک، برق صنعتی و مدیریت انرژی و همچنین سامانه‌های نظامی و هوایی کاربرد داشته باشد.
این دستگاه جدید روی حافظه دسترسی تصادفی مقاومت-مغناطیسی (MRAM) پیاده می‌شود که از پیوند تونل مغناطیسـی «(Magnetic Tunnel Junction (MTJ» بر پایه اکسیدمنیزیم (MgO) برای ذخیره داده استفاده می‌کند. حافظه MRAM از جنبه‌های زیادی نسبت به حافظه‌های RAM متداول، برتری دارد که می‌توان به توانایی حفظ داده بعد از قطع منبع تغذیه، سرعت پردازش بالا و توان مصرفی پایین اشاره کرد.
در ابتدا پیوند مغناطیسـی تونلی (MTJ) برپایه اکسیدمنیزیم، بر روی سطح سیلیکونی رشد داده شده و سپس ناحیه مشخصی از سطح سیلیکون در زیر آن زدوده و پاک می‌شود. پژوهشگران با استفاده از روش چاپ انتقالی (Transfer Printing) تراشه حافظه مغناطیسی را روی سطح پلاستیکی انعطاف‌پذیری از جنس پلی‌اتیلن-ترفتالات جاسازی کردند درحالی‌که میزان کشش ناشی از قرارگرفتن تراشه حافظه بر روی سطح پلاستیکی را کنترل می‌کردند.
یانگ بیان می‌کند: «آزمایش‌های ما نشان داد که اثر مقاومت-مغناطیسی تونل‌زنی دستگاه جدید می‌تواند به ۳۰۰ درصد برسد که مانند اتومبیلی با توان فوق‌العاده در حد اسب بخار است. همچنین موفق شده‌ایم سرعت کلیدزنی را بهبود دهیم. با این ویژگی‌های بهبودیافته، تراشه حافظه مغناطیسی، می‌تواند انتقال داده را با سرعت بالاتر انجام دهد.»
گروه پژوهشی یافته‌های خود را در مجله Advanced Materials منتشر می‌کنند.
ایالات متحده آمریکا و کره جنوبی برای نوآوری یانگ و گروه پژوهشی او حق ثبت اختراع صادرکرده‌اند. این گروه درحال انجام آزمایش‌هایی به منظور بهبود اثر مقاومت مغناطیسی دستگاه با تنظیم دقیق سطح کشش در ساختار مغناطیسی آن است.
این گروه همچنین علاقه‌مند به همکاری با شریک‌های صنعتی هستند تاکاربردهای بیشتری از این نوآوری را بیابند.
پژوهشگران دانشگاه Yonsei و دانشگاه Ghent و مؤسسه پژوهشی مواد و مهندسی سنگاپور در این پروژه همکاری کردند.
منبع: Futurity
